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增强光刻工艺能力的系统及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310264698.3
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2013-06-27
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称增强光刻工艺能力的系统及方法
申请号CN201310264698.3申请日期2013-06-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-10-09公开/公告号CN103345122A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人毛智彪
代理机构上海申新律师事务所代理人竺路玲
摘要
本发明公开了一种增强光刻工艺能力的系统及方法,根据光刻工艺需求,调整多灰度圆环形照明光圈的相关参数,从而使得入射光线经过该多灰度圆环形照明光圈后,以符合工艺需求的曝光量照射至硅片表面,进而使得硅片表面的光刻胶形成最终图形,进一步的完成光刻工艺;本发明提供的增强光刻工艺能力的方法能够有效提高各种不同尺寸的图形的综合分辨率和工艺窗口,平衡了各种不同尺寸图形的线宽尺寸,且避免了多次曝光工艺的成本增加和产出量降低的问题,进而提高了生产效率和降低了制造成本,且提高了器件的良率。

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