加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310487942.2
  • IPC分类号:H01L21/329
  • 申请日期:
    2013-10-17
  • 申请人:
    北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
著录项信息
专利名称一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法
申请号CN201310487942.2申请日期2013-10-17
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-02-12公开/公告号CN103578978A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请人地址
北京市丰台区东高地四营门北路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所当前权利人北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
发明人殷丽;王传敏;王成杰;刘燕;杨小兵;姚全斌
代理机构中国航天科技专利中心代理人范晓毅
摘要
本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法,包括以下工序:选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化,本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺,使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域,而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心,即实现了复合中心的类似局域分布,有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷,并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间,同时可降低复合中心对漏电的影响,有利于提高产品成品率,可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供