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一种验证介电氧化层可靠性的测试结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201721441696.7
  • IPC分类号:H01L23/544;H01L21/66
  • 申请日期:
    2017-11-01
  • 申请人:
    中天鸿骏半导体(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种验证介电氧化层可靠性的测试结构
申请号CN201721441696.7申请日期2017-11-01
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人中天鸿骏半导体(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路61弄张润大厦1号2层201、202室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中天弘宇集成电路有限责任公司当前权利人中天弘宇集成电路有限责任公司
发明人陈精纬;陈刚;王伟;苏香;王立中
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人王华英
摘要
本实用新型提供一种验证介电氧化层可靠性的测试结构,所述测试结构至少包括,衬底,位于所述衬底的上表面的氧化层,浮栅层,介电氧化层,控制栅层,第一绝缘侧壁,第二绝缘侧壁,第一测试端及第二测试端。与现有技术中验证介电氧化层可靠性的测试结构相比较而言,本实用新型的测试结构只需经过有源区和多晶硅掩膜两道光刻工艺,直接于浮栅层及控制栅层上形成第一测试端及第二测试端,并基于第一测试端和第二测试端进行介电氧化层可靠性测试,获得其可靠性结果;从制作测试结构的工艺开始到完成电性测试需要六天时间,仅为现有技术的十分之一时间,大大加快项目研发进度并节省成本。

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