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金属导线结构及其制程

发明专利有效专利

申请号：
CN200510008634.2
IPC分类号：H01L23/52;H01L23/528;H01L23/535;H01L21/768
申请日期：
2005-02-28
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	金属导线结构及其制程
申请号	CN200510008634.2	申请日期	2005-02-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-14	公开/公告号	CN1667825
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	侯锦珊;翁烔城;杨瑞玲;吴俊毅
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇

摘要

本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。

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