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发光二极管结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910057031.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2009-04-07
  • 申请人:
    山东璨圆光电科技有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管结构
申请号CN200910057031.X申请日期2009-04-07
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2010-10-13公开/公告号CN101859820A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人山东璨圆光电科技有限公司申请人地址
浙江省宁波市高新区江南路1558号浙大科创大楼1012室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波璨圆光电有限公司当前权利人宁波璨圆光电有限公司
发明人武良文;蔡亚萍;简奉任
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种发光二极管结构,其包括:基板、第一型掺杂半导体层、多个相互独立的发光层、第二型掺杂半导体层、第一接垫以及第二接垫。第一型掺杂半导体层位于基板上,多个相互独立的发光层位于该第一型掺杂半导体层上,第二型掺杂半导体层位于发光层上,第一接垫位于第一型掺杂半导体层上,且与第一型掺杂半导体层电连接,第二接垫位于第二型掺杂半导体层上,且与第二型掺杂半导体层电连接。本发明的发光二极管结构使发光层相互隔离,以增加发光二极管结构的内部量子效率,进而提高发光二极管结构的发光效率,且可避免产生蓝光偏移效应。

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