一种WO3纳米片阵列的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710386655.0
IPC分类号：C03C17/34;D06M11/48;C01G41/02;B82Y40/00;H01L31/0224
申请日期：
2017-05-26
申请人：
桂林理工大学

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著录项信息

专利名称	一种WO3纳米片阵列的制备方法
申请号	CN201710386655.0	申请日期	2017-05-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-01	公开/公告号	CN107117831A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C17/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C17/00 纤维或丝之外玻璃，例如微晶玻璃的涂覆法表面处理 C03C17/34 用至少两种不同成分的涂层（C03C 17/44优先）〔3〕	IPC分类号	C;0;3;C;1;7;/;3;4;;;D;0;6;M;1;1;/;4;8;;;C;0;1;G;4;1;/;0;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人	桂林理工大学	申请人地址	广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桂林理工大学	当前权利人	桂林理工大学
发明人	刘勇平;杨之书;吕慧丹;耿鹏;林剑飞;张梦莹;米喜红
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/LNa2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。

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