加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种制造高红外吸收硅材料的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410404489.9
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/028
  • 申请日期:
    2014-08-18
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种制造高红外吸收硅材料的方法
申请号CN201410404489.9申请日期2014-08-18
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-11-19公开/公告号CN104157737A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人李世彬;王健波;张鹏;余宏萍;吴志明
代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)代理人谭新民
摘要
本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法,包括:制备硅衬底材料;在硅衬底材料上注入掺杂离子,形成掺杂层;用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面,使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中,首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓度掺杂,从而拓宽能带吸收,增加吸收率,然后利用低能激光脉冲照射修复表面损伤和缺陷且保持表面平整度。这样,不仅可以通过高浓度的表面掺杂拓宽能带吸收,而且通过控制激光脉冲能量可以减少离子注入带来的表面损伤及缺陷。同时,表面平整的硅材料利于后续的半导体加工,且工艺重复性和均匀性较好。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供