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转移基板及其制备方法、微发光二极管的转移方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010005163.4
IPC分类号：H01L41/047;H01L27/20
申请日期：
2020-01-03
申请人：
上海天马微电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	转移基板及其制备方法、微发光二极管的转移方法
申请号	CN202010005163.4	申请日期	2020-01-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-15	公开/公告号	CN111162162A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/047 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/00 一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件（由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L41/02 零部件〔2〕 H01L41/04 压电器件的或电致伸缩器件的〔2〕 H01L41/047 电极〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;0;4;7;;;H;0;1;L;2;7;/;2;0查看分类表>
申请人	上海天马微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区汇庆路888、889号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海天马微电子有限公司	当前权利人	上海天马微电子有限公司
发明人	马太昇;章玲玲;牛庚新;周九斌
代理机构	北京汇思诚业知识产权代理有限公司	代理人	冯伟

摘要

本发明提供一种转移基板及其制备方法、微发光二极管的转移方法，涉及微发光二极管的转运技术领域。通过对转移基板上设置的压电器件的调控，实现微发光二极管准确无误地转移到转移基板上，然后将转移基板上的微发光二极管一次转移至目标基板上，目标基板是微发光二极管待显示的基板，提高了微发光二极管巨量转移效率和转移的准确性，降低微发光二极管的转运成本。

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