二维半导体光伏型偏振探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110524757.0
IPC分类号：H01L31/09;H01L31/101;H01L31/032;H01L31/18
申请日期：
2021-05-13
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	二维半导体光伏型偏振探测器及其制备方法
申请号	CN202110524757.0	申请日期	2021-05-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257941A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/09 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/09 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件（H01L 31/101优先）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	杨珏晗;白瑞雪;魏钟鸣
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周天宇

摘要

本发明提供了一种ZrGeTe4光伏型偏振探测器及其制备方法，ZrGeTe4光伏型偏振探测器包括：衬底(10)；二维ZrGeTe4半导体(11)，其形成于所述衬底(10)上，其中，所述二维ZrGeTe4半导体(11)具备面内各向异性；金属电极(12)，形成于所述二维ZrGeTe4半导体(11)上。该ZrGeTe4光伏型偏振探测器解决二维半导体偏振探测器使用时暗电流过大的技术问题，实现了在不牺牲二向色性比的条件下实现不加偏压的偏振探测器件，对于资源节约，提高集成度，实现器件柔性化、小型化具有重要意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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