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半导体元件的熔丝结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410063444.6
  • IPC分类号:H01L23/525
  • 申请日期:
    2004-07-06
  • 申请人:
    联华电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体元件的熔丝结构
申请号CN200410063444.6申请日期2004-07-06
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-01-11公开/公告号CN1719605
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/525IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人联华电子股份有限公司申请人地址
台湾省新竹科学工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人联华电子股份有限公司当前权利人联华电子股份有限公司
发明人郑钧文;梁佳文;李瑞池;薛胜元
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陈小雯;李晓舒
摘要
一种半导体元件的熔丝结构,包括在半导体基底上,夹于上下绝缘层中的一熔丝层,其借着介层洞与其它金属层电相连,该熔丝层的电阻系数可以由其形成材料而调整。该熔丝层具有至少两个互相分离的区块与至少一个位于其间连接的连接区块,而导致熔丝结构中电流流动途径迂回通过各区块,熔丝结构具有至少一或多个烧熔点,不但降低残余熔融熔丝造成的负面影响,提高熔丝结构的可靠率,更可进一步改善散热率,避免过热,而使制作过程余裕增大。

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