基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计

发明专利有效专利

申请号：
CN201710596908.7
IPC分类号：G01J5/20
申请日期：
2017-07-20
申请人：
南京大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计
申请号	CN201710596908.7	申请日期	2017-07-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-29	公开/公告号	CN109282903A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J5/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J5/00 辐射高温测定法 G01J5/10 用电辐射检测器 G01J5/20 用对辐射敏感的电阻器，热敏电阻器或半导体〔1，2006.01〕	IPC分类号	G;0;1;J;5;/;2;0查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市鼓楼区汉口路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	纪小丽;张朝阳;杨琪轩;沈凡翔;黄延;段佳华;朱晨昕;司伟;闫锋
代理机构	南京知识律师事务所	代理人	李媛媛

摘要

本发明公开了一种基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计。该微测辐射热计包括L形微桥结构，微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体，红外吸收体为多层结构，自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。本发明的微测辐射热计结构与传统的微测辐射热计结构相比，在热敏电阻层上面增加了金属光栅，形成MIM结构，该结构利用表面电磁波激发共振，显著提高了探测器的红外吸收率，增加了探测器响应，实现高效率探测。同时本发明的微测辐射热计基于标准CMOS集成电路工艺，具有工艺上容易实现、价格低廉等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供