一种半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210415044.1
IPC分类号：H01L21/033
申请日期：
2012-10-26
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件的制造方法
申请号	CN201210415044.1	申请日期	2012-10-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-07	公开/公告号	CN103779191A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/033 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕 H01L21/033 包括无机层的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	张翼英;何其旸
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；步骤S102：在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；步骤S103：对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；步骤S105：对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；步骤S106：去除所述核心材料层和所述牺牲层。该方法由于在形成间隔层的步骤与去除硬掩膜的步骤间增加了形成牺牲层的步骤，因而避免了目标膜层被不当刻蚀，易于控制间隔层的高度和厚度，保证了制造的半导体器件的良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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