一种电子元器件真空吸测试方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510060848.8
IPC分类号：G01R31/44;G01R1/04;G01M11/00
申请日期：
2015-02-05
申请人：
深圳市华腾半导体设备有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种电子元器件真空吸测试方法
申请号	CN201510060848.8	申请日期	2015-02-05
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-20	公开/公告号	CN104635180A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/44 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/38 （转入H01T 13/60） G01R31/44 采用核磁共振〔NMR〕（G01R33/24，G01R33/62优先）〔5〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;4;4;;;G;0;1;R;1;/;0;4;;;G;0;1;M;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市华腾半导体设备有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区桃源街道平山大园工业区1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华腾半导体设备有限公司	当前权利人	深圳市华腾半导体设备有限公司
发明人	张小东;覃小峰;缪来虎;叶青山
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种电子元器件真空吸的测试方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：①发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直振轨道；②再由真空和破真空的方式转移到转盘上的卡槽里面。③通过真空将材料吸附在PCB板或类似此结构上，接触发光元件的引脚，通电使其发光，同时检测元件从上对其光电特性进行检测。此种测试方法能够适合电子元器件的制造工艺，测试范围更广。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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