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一种半导体集成电路器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010468385.X
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2020-05-28
  • 申请人:
    厦门半导体工业技术研发有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体集成电路器件及其制造方法
申请号CN202010468385.X申请日期2020-05-28
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-09-08公开/公告号CN111640864A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人厦门半导体工业技术研发有限公司申请人地址
福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门半导体工业技术研发有限公司当前权利人厦门半导体工业技术研发有限公司
发明人王丹云;沈鼎瀛;邱泰玮;康赐俊;刘宇
代理机构北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙)代理人周伟
摘要
本发明实施例公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。该方法包括:首先,在第一电极的上方和侧壁沉积阻变材料层和第二电极;之后,使用化学机械抛光工艺(CMP)一次磨去顶部,使阻变材料层形成于第一电极的侧壁,并在水平方向形成导电细丝。化学机械抛光工艺一次去除顶部的工艺可大大减少对阻变材料层的损伤,对导电细丝形成的影响较小,从而改善了现有制造工艺对电阻转变层的损伤问题。此外,使用该制造方法制备半导体集成电路器件还大大简化了现有制造工艺的程序,进一步降低了制造成本,具有非常突出的有益效果。

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