一种半导体激光阵列及其封装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911108876.7
IPC分类号：H01S5/02;H01S5/024;H01S5/026;H01S5/40
申请日期：
2019-11-13
申请人：
海南师范大学

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著录项信息

专利名称	一种半导体激光阵列及其封装方法
申请号	CN201911108876.7	申请日期	2019-11-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-28	公开/公告号	CN111082306A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;;;H;0;1;S;5;/;0;2;4;;;H;0;1;S;5;/;0;2;6;;;H;0;1;S;5;/;4;0查看分类表>
申请人	海南师范大学	申请人地址	海南省海口市龙昆南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海南师范大学	当前权利人	海南师范大学
发明人	曲轶;任永学;李再金;赵志斌;乔忠良;李林
代理机构	北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	曹鹏飞

摘要

本发明公开了一种半导体激光阵列，该激光阵列对陶瓷载体做出结构改进，将陶瓷条的边缘切割出两个对称的凹口，并采用分立式布置方式，既可以避免两个紧邻的陶瓷条上表面金属化连接导致激光芯片短路，还减小了封装应力，可以实现上百个激光芯片的一次性封装。同时，本发明还提供了一种半导体激光阵列的封装方法，该封装方法装配过程简便，降低了烧结工艺的要求，且封装成的半导体激光阵列可以获得最佳的散热效果和封装应力也大大降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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