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半导体隔离结构及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710037674.9
  • IPC分类号:H01L21/76;H01L27/04
  • 申请日期:
    2007-02-13
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体隔离结构及其形成方法
申请号CN200710037674.9申请日期2007-02-13
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2008-08-20公开/公告号CN101246837
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/76IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人肖德元
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明
摘要
一种半导体隔离结构的形成方法,包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上形成牺牲氧化层;在牺牲氧化层上形成掩膜,图案化所述掩膜,从而在半导体衬底上定义出有源区和隔离区;通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子;除去掩膜;对半导体衬底进行退火,形成隔离结构;去除牺牲氧化层。不仅工艺简单,而且避免现有技术中STI隔离结构的形成工艺中制作工艺复杂,并且衬氧化层与半导体衬底之间以及衬氧化层与氮氧化硅层之间都存在应力的缺陷。

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