加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210087638.4
  • IPC分类号:H01L23/48
  • 申请日期:
    2012-03-29
  • 申请人:
    南茂科技股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构
申请号CN201210087638.4申请日期2012-03-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2013-06-19公开/公告号CN103165550A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/48IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人南茂科技股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南茂科技股份有限公司当前权利人南茂科技股份有限公司
发明人沈更新
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人陈亮
摘要
本发明为一半导体结构,包含基板、至少二衬垫、钝化层、至少二凸块底层金属层及至少二凸块。衬垫沿第一方向相邻设置于基板上。且钝化层覆盖于基板及各衬垫的周围上表面以分别界定一开口,各开口于第二方向各具有一开口投影,开口投影各自相邻设置而不重叠,其中,第一方向与第二方向垂直。凸块底层金属层则设置于各个开口上。而凸块则分别设置于各凸块底层金属层上。此种半导体结构,可使凸块的宽度增大,而不受限于凸块间距。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供