一种在TiO2颗粒表面脉冲化学气相沉积无定形TiO2的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810953589.5
IPC分类号：C23C16/40;C23C16/455
申请日期：
2018-08-21
申请人：
四川大学

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专利名称	一种在TiO2颗粒表面脉冲化学气相沉积无定形TiO2的方法
申请号	CN201810953589.5	申请日期	2018-08-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108866510A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/40 氧化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市武侯区一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	梁斌;于洋洋
代理机构	成都正华专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李蕊

摘要

本发明公开了在TiO2颗粒表面脉冲化学气相沉积无定形TiO2的方法。在钛白粉表面包覆SiO2、Al2O3、等惰性材料可以有效抑制其光催化活性，目前工业应用中通常通过液相沉积技术包覆TiO2的表面，但是液相包覆法无法精确控制薄膜的厚度和均匀性。我们以前提出了一种气相原子钛白粉包膜的方法，在TiO2颗粒的表面沉积一层厚度为3nm的SiO2薄膜。但是，过量的SiO2包覆也可能导致TiO2的消色力降低，因为SiO2的折射率（1.46）比锐钛矿TiO2（2.55）的低。本发明提出了一种脉冲化学气相沉积的方法，以TiCl4为Ti的前驱体，在常温下与TiO2的表面羟基反应形成均匀的厚度为3nm的无定形TiO2薄膜。包覆无定形TiO2的钛白粉的光催化活性得到了有效的抑制，并且与包覆SiO2后的样品相比，其消色力明显增强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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