稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN00105373.6
IPC分类号：--
申请日期：
2000-03-31
申请人：
夏普公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件
申请号	CN00105373.6	申请日期	2000-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-12-06	公开/公告号	CN1275810
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	夏普公司	申请人地址	日本大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普公司	当前权利人	夏普公司
发明人	新美宪一;A·O·阿丹
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	梁永;王忠忠

摘要

一种稳定SOI半导体器件的方法，包括以下步骤：提供SOI半导体器件，该器件由包括支撑基片的SOI衬底、在支撑基片上形成的埋置绝缘膜、在埋置绝缘膜上形成的表面半导体层、形成在表面半导体层中的源/漏区、在源/漏区之间的表面半导体层上形成的栅极构成，栅绝缘膜介于栅极和表面半导体层之间；在支撑基片和源/漏区中的一个之间施加电应力，由此在半导体表面层一侧形成抵达埋置绝缘膜的后沟道，由此至少在所述源/漏区中的一个和埋置绝缘膜一侧中的表面半导体层之间的界面附近引入捕获电位。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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