SiC晶片及SiC晶片的制造方法发明专利
申请号：CN201780079551.3
LOC分类号:C30B29/36
IPC结构图谱：
- E固定建筑物
- E0建筑
- E04建筑物
- E04B一般建筑物构造；墙，例如，间壁墙；屋顶；楼板；顶棚；建筑物的隔绝或其他防护（墙、楼板、或顶棚上的开口的边沿构造入E06B 1/00）
- E04B1/00一般构造；不限于墙，例如，间壁墙，或楼板或顶棚或屋顶中任何一种结构（脚手架，模板入E04G；特殊用途的建筑物用的专用结构，建筑物的一般布置，例如，模数协调入E04H；建筑物的特殊构件见这些构件的有关组）〔5〕
- E04B1/62隔绝或其他防护；用于此目的构件或使用的特殊材料（化学成分入C01至C11；用于提供隔绝或密封的器具入E04F 21/00；能经受或提供保护不希望出现的外界影响的建筑物入E04H 9/00；在墙内或间壁墙内的密封管入F16L 5/02；对危害性辐射的屏蔽入G21F；建筑物特殊部分的构造参见有关这些部分的各组）
- E04B1/74对热、声或噪音的隔绝、吸收或反射（用于影响或引导声音的房间的形式或屋内布置入E04B 1/99）；提供良好温度或声响条件的其他建筑方法，例如，在墙内蓄热（防火入E04B 1/94；主要用于结构用途的构件入E04C 1/00至E04C 3/00；主要用于表面覆盖的入E04F 13/00；作为地板覆盖物的底层的入E04F 15/18；墙上开口或类似开口的封闭入E06B）
- E04B1/76专门用于保温的（一般的绝热入F16L 59/00）
- E04B1/78绝热构件
- E04B1/80板式的
