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SiC晶片及SiC晶片的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201780079551.3
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/06;C30B33/00;H01L21/20;H01L21/205
申请日期：
2017-12-22
申请人：
昭和电工株式会社;株式会社电装

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	SiC晶片及SiC晶片的制造方法
申请号	CN201780079551.3	申请日期	2017-12-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-20	公开/公告号	CN110268106A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;6;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人	昭和电工株式会社;株式会社电装	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昭和电工株式会社,株式会社电装	当前权利人	昭和电工株式会社,株式会社电装
发明人	藤川阳平;鹰羽秀隆
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	张轶楠;段承恩

摘要

本发明提供一种SiC晶片以及SiC晶片的制造方法。该SiC晶片中，在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，在所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面。

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