高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法发明专利
申请号：CN202110996238.4
LOC分类号:H01L29/06
IPC结构图谱：
- G物理
- G0仪器
- G02光学
- G02B光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕
- G02B6/22（转入G02B 6/036）
- G02B6/24光波导的耦合（电波导的耦合入H01P 1/00）〔4，5〕
