加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110996238.4
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/08;H01L29/778;H01L21/335
  • 申请日期:
    2021-08-27
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法
申请号CN202110996238.4申请日期2021-08-27
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-26公开/公告号CN113707712A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人曹震;张洪伟;王倩;焦李成
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人汪海艳
摘要
本发明提出一种高耐压硅基氮化镓功率半导体器件及其制作方法,旨在有效降低器件漏边缘的高峰电场并改善漏端下方衬底中分布不均匀的电场,提高氮化镓器件的耐压特性。在器件台面刻蚀的过程中,在漏端和源端同时形成一定深度的沟槽,在沟槽中通过填充高K介质材料,将漏端的高K介质与漏电极短接。在器件关断时,通过高K介质材料的反极化作用有效降低器件漏端的高峰电场,同时通过高K介质的电场调制作用有效改善器件的纵向电场分布,达到显著提升硅基AlGaN/GaN器件击穿电压的目的。相比传统的硅基AlGaN/GaN器件结构和采用肖特基‑欧姆混合接触漏极的硅基AlGaN/GaN器件结构,击穿电压分别提升了79.43%和46.81%,促进了硅基AlGaN/GaN器件在高耐压功率集成电路中的应用。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供