气相生长装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201080022518.5
IPC分类号：--
申请日期：
2010-05-14
申请人：
大阳日酸株式会社;大阳日酸EMC株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	气相生长装置
申请号	CN201080022518.5	申请日期	2010-05-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-02	公开/公告号	CN102439698A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	大阳日酸株式会社;大阳日酸EMC株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大阳日酸株式会社,大阳日酸CSE株式会社	当前权利人	大阳日酸株式会社,大阳日酸CSE株式会社
发明人	山冈优哉;内山康右
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;张会华

摘要

本发明提供一种能够不使基座等大型化地增加一次可气相生长的半导体薄膜的面积的自转/公转型气相生长装置。该气相生长装置是具有自转/公转机构的卧式气相生长装置，包括：轴承构件(13)，其设在形成于圆盘状的基座(12)上的圆形开口内；均热板(14)，其能旋转地载置在轴承构件上；外齿轮构件(15)，其载置在均热板上；环状的固定内齿轮构件(17)，其具有与该外齿轮构件啮合的内齿轮；加热部件(19)，其从基座的背面侧对保持在外齿轮构件上的基板(18)进行加热；流道(20)，其沿与基板表面平行的方向引导原料气体，该气相生长装置将轴承构件的外径或外齿轮构件的齿轮基圆直径设定为比基板的外径小的尺寸。

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