集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910196566.5
IPC分类号：H01L33/00;H01L25/075;H01L23/13;H01L23/367;H01L23/427;H01L23/28;H01L23/14;H01L21/48;H01L21/50
申请日期：
2009-09-27
申请人：
上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法
申请号	CN200910196566.5	申请日期	2009-09-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-17	公开/公告号	CN101673802
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心	申请人地址	上海市宝山区上大路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海大学,上海半导体照明工程技术研究中心	当前权利人	上海大学,上海半导体照明工程技术研究中心
发明人	吴军;殷录桥;张建华;李抒智;马可军;杨卫桥
代理机构	上海上大专利事务所（普通合伙）	代理人	何文欣

摘要

本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。

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