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包含非易失性存储单元的集成电路及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810129045.3
  • IPC分类号:H01L29/788;H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115
  • 申请日期:
    2008-06-24
  • 申请人:
    茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)
著录项信息
专利名称包含非易失性存储单元的集成电路及其制备方法
申请号CN200810129045.3申请日期2008-06-24
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-04-22公开/公告号CN101414640
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/788
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;9;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)申请人地址
新加坡新加坡邮区608840号08-09ODC城通关道30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)当前权利人茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)
发明人董忠;陈计良;陈兴华
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人彭久云
摘要
本发明公开了一种包含非易失性存储单元的集成电路及其制备方法。该集成电路包含半导体区,提供电荷以改变该非易失性存储单元的状态;电荷捕获介电层,捕获及储存电荷以定义该非易失性存储单元的状态;隧穿介电层,隔离该半导体区及该电荷捕获介电层;以及浮置栅极,储存电荷以定义该非易失性存储单元的状态,该浮置栅极的厚度至多为20纳米,该半导体区与该浮置栅极被该电荷捕获介电层及该隧穿介电层予以隔离。

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