接触插塞电熔丝结构及制造接触插塞电熔丝装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810178896.7
IPC分类号：H01L23/525;H01L27/112;H01L21/8234;H01L21/8246;H01L21/768
申请日期：
2008-12-08
申请人：
联华电子股份有限公司

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专利名称	接触插塞电熔丝结构及制造接触插塞电熔丝装置的方法
申请号	CN200810178896.7	申请日期	2008-12-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101752344A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/525 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/525 具有可适用互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	林永昌;吴贵盛;林三富;施惠绅
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	彭久云

摘要

本发明涉及一种接触插塞电熔丝结构及制造接触插塞电熔丝装置的方法。接触插塞电熔丝结构包括硅层及与硅层接触的接触插塞，对接触插塞施加电压后，接触插塞在与硅层接触的一端形成空洞而达成断开的现象。其可应用于电熔丝装置或只读存储器中。应用于电熔丝装置时，其在阴极仅需要一个接触插塞，并且需要的电流相对较小，因此接触插塞电熔丝结构加上致断装置的整体尺寸可减小许多。再者，本发明的接触插塞电熔丝结构亦可便利的使用与金属栅极一样的材料而与金属栅极同时来制作。应用于只读存储器结构时，结构与工艺均简单，且烧录方便。

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