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碲半导体薄膜及其制备方法、设备、应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110359561.0
  • IPC分类号:H01L21/02;H01L29/18
  • 申请日期:
    2021-04-02
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称碲半导体薄膜及其制备方法、设备、应用
申请号CN202110359561.0申请日期2021-04-02
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113241298A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;1;8查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号华中科技大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人唐江;郑佳佳;陈超;付刘冲;刘宇轩;刘沛林;刘婧;陈龙;高亮
代理机构北京元周律知识产权代理有限公司代理人张琦
摘要
本申请公开了一种碲半导体薄膜的制备方法,以及得到的碲半导体薄膜、相关制备仪器、应用。所述制备方法包括:将Te源进行气相传输沉积,获得所述碲半导体薄膜。本申请提供了一种碲半导体薄膜的制备方法,气相传输沉积(Vapor transport deposition)法与热蒸发法和磁控溅射方法相比之下具有操作简便、设备简单、生长成本低、可实时观察(基于VTD设备的翻盖设计)等优点。

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