写操作电路、半导体存储器和写操作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911021590.5
IPC分类号：G11C11/409
申请日期：
2019-10-25
申请人：
长鑫存储技术（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	写操作电路、半导体存储器和写操作方法
申请号	CN201911021590.5	申请日期	2019-10-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-27	公开/公告号	CN112712836A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/409 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕 G11C11/407 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/409 读写〔R-W〕电路〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;9查看分类表>
申请人	长鑫存储技术（上海）有限公司	申请人地址	上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术（上海）有限公司	当前权利人	长鑫存储技术（上海）有限公司
发明人	张良
代理机构	北京市铸成律师事务所	代理人	包莉莉;武晨燕

摘要

本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括数据判断模块，用于根据半导体存储器的前次输入数据和当前输入数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前输入数据，以生成翻转标识数据和中间数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号和中间数据确定全局总线的初始态；数据接收模块，数据接收模块接收全局总线上的全局总线数据，并通过翻转标识信号线接收翻转标识数据，用于根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下，减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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