发光器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201110285041.6
IPC分类号：H01L33/14;H01L33/10;H01L33/22
申请日期：
2011-09-16
申请人：
LG伊诺特有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光器件
申请号	CN201110285041.6	申请日期	2011-09-16
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102412355A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/14 具有一个载流子传输控制结构，例如高掺杂半导体层或电流阻断结构〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;2;2查看分类表>
申请人	LG伊诺特有限公司	申请人地址	江苏省苏州市太仓市常胜北路168号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州乐琻半导体有限公司	当前权利人	苏州乐琻半导体有限公司
发明人	李尚烈;丁焕熙;文智炯;郑泳奎;崔光基;宋俊午
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	夏凯;谢丽娜

摘要

本发明提供了一种发光器件，该发光器件包括发光结构(包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层)、导电层、绝缘层和电流阻挡层。导电层可以具有第一导电部分，所述第一导电部分穿过第二导电类型半导体层和有源层，以接触第一导电类型半导体层。绝缘层可以具有第一绝缘部分，所述第一绝缘部分包围导电层的第一导电部分。电流阻挡层可以基本上包围所述绝缘层的所述第一绝缘部分，所述第一绝缘部分设置在所述电流阻挡层和所述第一导电部分之间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供