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相变化记忆体及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510988832.3
IPC分类号：H01L45/00
申请日期：
2015-12-24
申请人：
宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	相变化记忆体及其制造方法
申请号	CN201510988832.3	申请日期	2015-12-24
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-25	公开/公告号	CN105609632A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人	宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司	申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京时代全芯存储技术股份有限公司	当前权利人	北京时代全芯存储技术股份有限公司
发明人	苏水金
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国

摘要

本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。相变化记忆体包含一主动元件、一下电极、一加热器、一相变化层、一上电极以及一保护层。下电极耦接主动元件，而加热器位于下电极上，且加热器的长度沿一第二方向延伸。相变化层接触加热器，且相变化层的长度沿一第一方向延伸，其中第一方向与第二方向彼此交错。上电极，位于相变化层上方，而保护层覆盖加热器、相变化层与上电极。

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