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In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201180004849.0
IPC分类号：C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/203
申请日期：
2011-01-14
申请人：
出光兴产株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法
申请号	CN201180004849.0	申请日期	2011-01-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-29	公开/公告号	CN102652119A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;3查看分类表>
申请人	出光兴产株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	出光兴产株式会社	当前权利人	出光兴产株式会社
发明人	江端一晃;笘井重和;矢野公规
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	翟赟琪

摘要

一种氧化物烧结体，其中，实质上结晶结构由显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成，镓原子固溶在上述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。

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