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氧化锡氧化铝基低浓度丙酮气体传感器及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510192671.7
  • IPC分类号:G01N33/00
  • 申请日期:
    2015-04-22
  • 申请人:
    上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
著录项信息
专利名称氧化锡氧化铝基低浓度丙酮气体传感器及其制备方法
申请号CN201510192671.7申请日期2015-04-22
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-08-05公开/公告号CN104820068A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N33/00IPC分类号G;0;1;N;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司申请人地址
上海市闵行区江川东路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司当前权利人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
发明人何丹农;陈俊琛;金彩虹
代理机构上海东方易知识产权事务所代理人唐莉莎
摘要
本发明涉及一种低浓度丙酮气体传感器的制备方法,属于金属氧化物半导体气体传感器制备工艺技术领域。本发明的气体传感器主要特点是:在氧化铝陶瓷管表面涂覆了双层具有多孔结构的纳米敏感材料,内层基体材料为Pt掺杂的纳米多孔SnO2,外层增敏材料为纳米多孔Al2O3。将涂上Pt掺杂的多孔SnO2基体材料的气敏元件经500℃焙烧2小时后,再将多孔Al2O3增敏材料均匀涂覆在外表面;室温下晾干后,按厚膜半导体气敏元件制作工艺进行焊接(包括引线铂丝及陶瓷管空腔内的镍-镉加热丝);老化,封装,即制得低浓度丙酮气体传感器。本发明制得的传感器对丙酮气体具有检测限低、响应恢复时间快、稳定性好等优点。

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