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一种发光二极管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610245662.4
  • IPC分类号:H01L33/10;H01L33/12;H01L33/00
  • 申请日期:
    2016-04-20
  • 申请人:
    安徽三安光电有限公司
著录项信息
专利名称一种发光二极管及其制备方法
申请号CN201610245662.4申请日期2016-04-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-06公开/公告号CN105742435A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/10IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人安徽三安光电有限公司申请人地址
安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人安徽三安光电有限公司当前权利人安徽三安光电有限公司
发明人江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;蔡吉明;张家宏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种发光二极管及其制备方法,发光二极管至少包括一衬底,以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延层,其特征在于:所述缓冲层和外延层之间还插入一Al/AlGaN DBR结构,所述DBR结构由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成,所述第一AlGaN层沉积于第一Al颗粒层使DBR具有波浪形粗化结构。本发明于缓冲层和外延层之间插入一由第一Al颗粒层和第一AlGaN层周期性交替层叠而成的呈波浪形的DBR结构,Al颗粒层的金属反射性和波浪形的粗化结构可以进一步提高DBR结构的出光效率。同时,本发明还提供了制备方法。

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