一种多晶硅还原炉

发明专利有效专利

申请号：
CN201010542482.5
IPC分类号：C01B33/03
申请日期：
2010-11-12
申请人：
天津大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种多晶硅还原炉
申请号	CN201010542482.5	申请日期	2010-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-16	公开/公告号	CN101973551A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/03 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕 C01B33/027 使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原〔5〕 C01B33/03 使用卤化硅或卤化硅烷的分解，或其以氢作为惟一的还原剂的还原〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号天津大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	黄国强;毛俊楠;王红星;华超
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	王丽

摘要

本发明涉及一种多晶硅还原炉。在还原炉内顶部设置有顶部隔板，顶部隔板上设置有开孔和弧形凸起结构；开孔在每对导电硅芯上方，每对导电硅芯的中心线和隔板上的相应开孔的中心线在同一轴线上；每个混合气进气喷头上方设置有弧形凸起结构，每个混合气进气喷头的中心线和隔板上的相应弧形凸起结构的中心线在同一轴线上，开孔和凸起结构错开分布，隔板的中心设置有混合气出气口与混合气出气管道连接。本发明的混合气通过隔板上弧形凸起结构返混以及还原炉尾气进入顶部通过混合气出气管道排出，不影响还原炉内部的流场，喷头喷入的气体在还原炉内停留时间加长，气场分布更加均匀，有利于导电硅芯均匀地生长，避免还原炉中的倒棒问题，提高了还原炉进气的单程转化率。

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