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用于给半导体器件提供硅填充间隙的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011258982.6
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/48
  • 申请日期:
    2020-11-12
  • 申请人:
    ASMIP私人控股有限公司
著录项信息
专利名称用于给半导体器件提供硅填充间隙的方法
申请号CN202011258982.6申请日期2020-11-12
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-05-18公开/公告号CN112820692A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人ASMIP私人控股有限公司申请人地址
荷兰阿尔梅勒 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人ASMIP私人控股有限公司当前权利人ASMIP私人控股有限公司
发明人D.皮鲁克斯;A.特罗瓦托;K.霍本;S.R.A.范埃尔德;B.琼布洛德;W.A.沃韦杰
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人焦玉恒
摘要
提供了一种用于填充间隙的方法,包括:在沉积室中提供具有间隙的半导体衬底,其中所述间隙的底部包括晶体半导体材料,并且其中所述间隙的侧壁包括非晶材料;在间隙中沉积硅前体。

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