一种霍尔离子源

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921703112.8
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/32;H01J27/14
申请日期：
2019-10-11
申请人：
东莞东阳光高能医疗设备有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种霍尔离子源
申请号	CN201921703112.8	申请日期	2019-10-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;2;;;H;0;1;J;2;7;/;1;4查看分类表>
申请人	东莞东阳光高能医疗设备有限公司	申请人地址	广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区光大We谷A1栋1318号房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞东阳光高能医疗设备有限公司	当前权利人	东莞东阳光高能医疗设备有限公司
发明人	刘慧超
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型属于离子源技术领域，公开一种霍尔离子源，包括反应室，所述反应室包括第一反应室、第二反应室、第三反应室，所述第二反应室分别与所述第一反应室、第三反应室相连；所述第一反应室包括磁钢模块，所述磁钢模块包括多块同轴设置的磁钢元件；所述第二反应室包括阳极模块；所述第三反应室包括阴极元件；所述磁钢模块、所述阳极模块、所述阴极元件相对设置。本实用新型提供的一种霍尔离子源，磁钢组件设置为可叠加的结构，可以通过增减磁钢元件的个数实现调节磁场大小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供