一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711464718.6
IPC分类号：C09K3/18;C23F1/24;C23F1/02;C23C30/00
申请日期：
2017-12-28
申请人：
肇庆市华师大光电产业研究院

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著录项信息

专利名称	一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法
申请号	CN201711464718.6	申请日期	2017-12-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-24	公开/公告号	CN108314993A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K3/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K3/00 不包含在其他类目中的材料〔2〕 C09K3/18 用于表面以减少对冰、雾或水的黏附；用在表面上的融化或防冻材料〔4〕	IPC分类号	C;0;9;K;3;/;1;8;;;C;2;3;F;1;/;2;4;;;C;2;3;F;1;/;0;2;;;C;2;3;C;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	肇庆市华师大光电产业研究院	申请人地址	广东省肇庆市高新区北江大道18号富民大厦3-304 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	肇庆市华师大光电产业研究院	当前权利人	肇庆市华师大光电产业研究院
发明人	金名亮;卢涵;水玲玲;周国富
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	陈卫

摘要

本发明公开了一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，包括以下步骤：在(100)晶向的单晶硅片上旋涂一层光刻胶；在此硅片上制备光刻胶图形阵列；在光刻胶图形阵列表面镀一层金属膜；移除光刻胶和镀在光刻胶上的金属膜，得到带有金属网格图形的单晶硅片；将此的单晶硅片放入氢氟酸和双氧水的混合溶液中进行金属辅助蚀刻，形成多孔硅膜；将多孔硅膜冲洗干净，干燥，使得多孔硅膜自行剥离；用有粘性的柔性基底粘附多孔硅膜，得到大面积柔性疏水多孔硅膜；其中，单晶硅片电阻率为0.001~0.005Ω·cm。本发明生产成本低，工艺简单，该方法制备出的多孔硅膜为柔性疏水的，疏水效果好，可粘附在任意材料、任意形状的基底上，可剪裁成任意形状，并且保持硅原有性能；具有巨大的应用前景。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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