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高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02124433.2
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/08
申请日期：
2002-06-26
申请人：
三井金属矿业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法
申请号	CN02124433.2	申请日期	2002-06-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-02-19	公开/公告号	CN1397661
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8查看分类表>
申请人	三井金属矿业株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三井金属矿业株式会社	当前权利人	三井金属矿业株式会社
发明人	高桥诚一郎;池田真;渡边弘
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	戈泊;程伟

摘要

本发明提供一种可以基本采用DC磁控管溅射装置来制造能形成透明且高电阻的膜的高电阻透明导电膜用溅射靶以及高电阻透明导电膜的制造方法。该溅射靶是形成电阻率约为0.8～10×10-3Ωcm的透明导电膜的高电阻透明导电膜用氧化铟系溅射靶，含有氧化铟和根据需要的氧化锡、且含有绝缘性氧化物。

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