半导体器件的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210417953.9
IPC分类号：--
申请日期：
2012-10-26
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制作方法
申请号	CN201210417953.9	申请日期	2012-10-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-14	公开/公告号	CN103794557A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	周朝礼
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法：预先提供一具有多层沉积膜的半导体衬底，在沉积膜表面形成第一底部抗反射层和第一图案化的光阻胶层，第一图案化的光阻胶层定义外围电路的有源区；以第一图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底至预定深度形成沟槽；去除第一底部抗反射层和第一图案化的光阻胶层后，在沟槽内及沉积膜的表面沉积第一氧化层；在第一氧化层的表面形成APF、DARC、第二底部抗反射层和第二图案化的光阻胶层，第二图案化的光阻胶层定义单元阵列的有源区；以第二图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀APF；采用SADP方法以APF作为牺牲层，形成具有预定宽度的氧化线；刻蚀氧化线至半导体衬底预定深度。本发明使工艺简单化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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