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待切割的半导体芯片结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410430618.1
IPC分类号：H01L23/16;H01L23/522;H01L21/56;H01L21/60
申请日期：
2014-08-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	待切割的半导体芯片结构及其制造方法
申请号	CN201410430618.1	申请日期	2014-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-02	公开/公告号	CN105374762A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/16 容器中的填充料或辅助构件，例如定心环（H01L 23/42，H01L 23/552优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	王晓东
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

本发明提供了一种待切割的半导体芯片结构及其制造方法，其中，位于两相邻所述半导体芯片之间的切割道表面的钝化层中形成有至少一个沟槽；当受到剪切应力时，具有沟槽的钝化层会优先在应力作用下发生形变甚至翘曲，由此，使剪切应力得到释放，从而降低了传递至半导体芯片处的剪切应力的力矩，避免了半导体芯片被剪切应力所破坏。

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