含有金属茂的光-电活性设备和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510064977.0
IPC分类号：H01L51/50;H05B33/14;H05B33/20
申请日期：
2005-04-12
申请人：
通用电气公司

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著录项信息

专利名称	含有金属茂的光-电活性设备和方法
申请号	CN200510064977.0	申请日期	2005-04-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-19	公开/公告号	CN1684564
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;5;B;3;3;/;1;4;;;H;0;5;B;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人	通用电气公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	L·N·路易斯;J·J·香;A·亚基莫夫;G·帕塔萨拉蒂;J·刘;S·克尼尔詹斯基
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	韦欣华;段晓玲

摘要

本发明公开了一种光-电活性设备，其包含下式的金属茂，其中M是锆或铪；X是卤素和R1-R5各自独立地是氢、芳基、烷基、卤素或-Si(R6)3；或其中至少一个环上的至少两个相邻的R取代基连接形成稠合环，其可以是未取代的或被芳基、烷基、卤素或-Si(R6)3取代；或其中每个环上的R1取代基相连接，从而将环以柄状桥的形式来连接起来，且其中R6是烷基、取代的烷基、芳基或取代的芳基。还公开了一种制造包含金属茂的光-电活性设备的方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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