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一种无特征层结构的转接载板及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010536963.9
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/683;H01L23/498
申请日期：
2020-06-12
申请人：
珠海越亚半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种无特征层结构的转接载板及其制造方法
申请号	CN202010536963.9	申请日期	2020-06-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-27	公开/公告号	CN111834232A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	珠海越亚半导体股份有限公司	申请人地址	广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	珠海越亚半导体股份有限公司	当前权利人	珠海越亚半导体股份有限公司
发明人	陈先明;顾敏;黄本霞;冯磊;谢炳森
代理机构	北京风雅颂专利代理有限公司	代理人	李翔;鲍胜如

摘要

本发明提供了一种无特征层结构的转接载板的制造方法，包括准备临时承载板；对所述临时承载板制作包边；在临时承载板的上下表面上层压绝缘材料形成绝缘层；在所述绝缘层上开设通孔；用金属填充所述通孔；去除包边，并去除临时承载板。本发明还提供了一种无特征层结构的转接载板，包括绝缘层和嵌入在所述绝缘层中的通孔柱层，其中通孔柱的端部用作焊盘。

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