一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110904242.3
IPC分类号：H01L21/265;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/778
申请日期：
2021-08-06
申请人：
西安电子科技大学广州研究院

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著录项信息

专利名称	一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法
申请号	CN202110904242.3	申请日期	2021-08-06
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-16	公开/公告号	CN113658856A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/265 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/265 产生离子注入的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人	西安电子科技大学广州研究院	申请人地址	广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学广州研究院	当前权利人	西安电子科技大学广州研究院
发明人	李祥东;韩占飞;刘苏杭;张进成;郝跃
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘长春

摘要

本发明公开了一种P‑GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底层上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN层；在P‑GaN上半层注入氢原子，形成高阻GaN层；在高阻GaN层的上形成TiN金属层；在TiN金属层的上形成栅极区域，刻蚀掉栅极区域外的TiN金属层、高阻GaN层和P‑GaN层直至势垒层的上表面；在TiN金属层和势垒层的上及P‑GaN层和高阻GaN层两侧形成钝化层；在钝化层的上表面的两端形成N离子注入区；刻蚀掉栅极区域的钝化层直至TiN金属层的上表面，在TiN金属层的上沉积栅金属形成栅极；分别刻蚀掉漏极区域的钝化层、势垒层和部分沟道层，并分别在沟道层上形成漏极、源极。本发明制备得到了可用的MISP‑GaN栅结构，在有效提高器件击穿电压的同时抑制阈值电压漂移。

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