垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200610044258.7
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343;H01S5/00
申请日期：
2006-05-17
申请人：
中微光电子（潍坊）有限公司

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著录项信息

专利名称	垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构
申请号	CN200610044258.7	申请日期	2006-05-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-18	公开/公告号	CN1848565
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;1;8;7;;;H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中微光电子（潍坊）有限公司	申请人地址	山东省潍坊市高新技术开发区玉清街东首中微光电子(潍坊)有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微光电子(潍坊)有限公司	当前权利人	中微光电子(潍坊)有限公司
发明人	蒋伟;刘凯;张彦伟;孙夕庆
代理机构	潍坊鸢都专利事务所	代理人	臧传进

摘要

本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构，包括(100)砷化镓衬底；生长的单层砷化镓过渡层；生长的多层外部N型布拉格反射层；生长的多层内部N型布拉格反射层；生长的多层量子阱结构；生长的单层内部P型布拉格反射层；生长的多层P型氧化层；生长的多层内部P型布拉格反射层；生长的多层外部P型布拉格反射层；生长的单层高掺杂的P型电流扩展层；生长的单层超高掺杂的P型表面覆盖层。本发明逐层生长所需要的多层布拉格反射层加量子阱结构，重复性高和稳定性好，制造工艺简单、可靠，并大大提高了外延生长的成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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