一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410235322.4
IPC分类号：G01N15/08
申请日期：
2014-05-30
申请人：
苏州大学

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专利名称	一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法
申请号	CN201410235322.4	申请日期	2014-05-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-01	公开/公告号	CN104075973A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N15/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N15/00 测试颗粒的特性；测试多孔材料的渗透性，孔隙体积或者孔隙表面积（微生物的识别入C12Q）〔1，4，2006.01〕 G01N15/08 测试多孔材料的渗透性，孔隙体积或孔隙表面积	IPC分类号	G;0;1;N;1;5;/;0;8查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市吴江区盛泽镇西二环路1188号6号楼202室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州思诚者信息科技有限公司	当前权利人	苏州思诚者信息科技有限公司
发明人	李孝峰;吴绍龙;程国安;詹耀辉;杨阵海;曹国洋
代理机构	北京康盛知识产权代理有限公司	代理人	伊美年

摘要

本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。

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