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一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510706750.5
  • IPC分类号:C04B35/582;C04B35/622
  • 申请日期:
    2015-10-27
  • 申请人:
    合肥龙多电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法
申请号CN201510706750.5申请日期2015-10-27
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-03-02公开/公告号CN105367075A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/582IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人合肥龙多电子科技有限公司申请人地址
安徽省合肥市肥东县新城开发区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥龙多电子科技有限公司当前权利人合肥龙多电子科技有限公司
发明人王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友
代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司代理人余成俊
摘要
本发明公开了一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,以季铵盐离子液体、无水乙醇等制备的混合溶剂较之传统的有机溶剂对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料气泡少,粉体间相容性佳,能形成稳定的互穿网络结构,浆料粘度大,流动性好,制得的坯体脱胶和烧结稳定性更佳,加入的纳米氮化硼导热、增强效果显著,再结合烧结助剂及其它原料,使得制备得到的基板片致密度高,影响热导率的不良杂质含量降低,导热散热性更佳,气孔率低,成品率高,可广泛的用做多种电路板基板。

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