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多组分纳米硅基材料及其制备和其复合材料及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410134453.3
  • IPC分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2014-04-04
  • 申请人:
    西华师范大学
著录项信息
专利名称多组分纳米硅基材料及其制备和其复合材料及制备方法
申请号CN201410134453.3申请日期2014-04-04
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103872295A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/36IPC分类号H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人西华师范大学申请人地址
四川省南充市顺庆区育英路44号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西华师范大学当前权利人西华师范大学
发明人李明齐;冯小芳;谷景维
代理机构成都希盛知识产权代理有限公司代理人柯海军;武森涛
摘要
本发明涉及一种多组分纳米硅基材料及其制备和其复合材料及制备方法,属于硅材料领域。本发明提供一种多组分纳米硅基材料,其由晶型纳米硅、SiOx和方晶石组成,并且,晶型纳米硅嵌入在SiOx和方晶石的基质中。所得的多组分纳米硅基材料通过简单的球磨或包覆处理得到循环性能较好的纳米硅基复合材料;经碳材料掺杂的导电水凝胶包覆后(掺杂导电聚合膜),展现了优异的电化学性能,用简单的方法解决了普通纳米硅电极在循环过程中结构的不稳定性问题;并且,其制备方法简单,快速,可控性好,易于大规模生产。

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