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一种改进表面平坦度的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610166719.8
IPC分类号：H01L27/22;G11C11/15
申请日期：
2002-12-18
申请人：
微米技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种改进表面平坦度的方法
申请号	CN200610166719.8	申请日期	2002-12-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-02-20	公开/公告号	CN101127363
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/22 包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;2;2;;;G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	微米技术有限公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	微米技术有限公司	当前权利人	微米技术有限公司
发明人	D·L·亚特斯;J·A·德鲁斯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	梁永

摘要

本发明提供了一种制造存储单元的一部分的方法，该方法包含在绝缘层中配备的管沟中提供第一导体，并平面化该绝缘层和该第一导体的上表面，在该绝缘层和该第一导体的平面化的上表面上形成材料层，并平面化该材料层的上面部分，而剩下该绝缘层和所述第一导体上的材料层的下面部分不处理。

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