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一种模拟忆阻器的电路

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210100158.7
  • IPC分类号:G11C16/34
  • 申请日期:
    2012-04-09
  • 申请人:
    武汉科技大学
著录项信息
专利名称一种模拟忆阻器的电路
申请号CN201210100158.7申请日期2012-04-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-08-01公开/公告号CN102623062A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C16/34IPC分类号G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人武汉科技大学申请人地址
湖北省武汉市青山区建设一路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉科技大学当前权利人武汉科技大学
发明人蒋旻;段宗胜;陈波;甘朝晖
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人张火春
摘要
本发明涉及一种忆阻器仿真模型。其技术方案是:该模型由比较器(1)、乘法器(2)、积分器(3)、忆阻器等效电阻(4)和窗函数(5)组成。比较器(1)的输入端C1和C2与忆阻器等效电阻(4)的端子A和B对应连接,比较器(1)的输出端Co与乘法器(2)的输入端M1连接;乘法器(2)的输入端M2与忆阻器等效电阻(4)的端子B连接,乘法器(2)的输入端M3与窗函数(5)的输出端Fo连接,乘法器(2)的输出端Mo与积分器(3)的输入端Ii连接;积分器(3)的输出端分别与忆阻器等效电阻(4)的输入端W和窗函数(5)的输入端Fi连接。本发明能很好地模拟忆阻器的“激活”特性,阻值也呈非线性连续变化,其电气特性与HP实验室发现的忆阻器物理模型的电气特性相符。

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